局部非線性漂移

深度分析

以流水陣列加速 Kuramoto 局部非線性漂移：SA-Kura 架構與能耗評估

擴散模型採樣昂貴，Kuramoto方位擴散以局部相位耦合取代線性漂移，保留更多局部結構並提升步數效率。SA-Kura將sin(θj−θi)重寫為鄰居累加後再與中心相位乘減，移除PE內三角單元並以流水陣列執行。實驗顯示在45nm綜合下，相較SoC軟體延遲與能耗分別降約193×與69.4×，對Jetson Orin Nano則更快6.57×且每像素能耗約46×更低。